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中析研究所榮譽資質證書
   

場效檢測

場效檢測簡介

發布時間:2024-03-12 08:33:13

更新時間:2025-09-25 09:30:04

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發布來源:其他檢測中心

第三方場效檢測機構北京中科光析科學技術研究所科研分析檢測中心可進行場效應晶體管、場效應管、場效應放大器、場效應電流源、場效應開關、場效應邏輯門、場效應觸發器、場效應二極管、場效應傳感器、場效應阻容連接器、場效應電路、場效應放大電路、場效應調制器、場效應模塊、場效應開關電源、場效應功率放大器、場效應光電場板、場效應發射極管、場效應感應器、場效應芯片等等場效檢測,作為綜合性研究所,旗下實驗室擁有CMA檢測資質,檢測設備齊全,數據科學可靠,7-15個工作日便可出具場效檢測報告。
場效檢測內容

檢測項目(部分)

  • 漏電電流:測量產品內部的漏電電流,用于評估產品的安全性。
  • 工作電流:測量產品的工作電流,用于評估產品的性能和效率。
  • 靜態電流:測量產品在靜止狀態下的電流,用于評估產品的功耗。
  • 輸入電壓范圍:測量產品能夠正常工作的輸入電壓范圍。
  • 輸出電壓范圍:測量產品輸出的電壓范圍。
  • 溫度范圍:測量產品能夠正常工作的溫度范圍。
  • 工作頻率:測量產品的工作頻率,用于評估產品的適用范圍。
  • 開關時間:測量產品開關的時間,用于評估產品的響應速度。
  • 電壓穩定性:測量產品輸出電壓的穩定性,用于評估產品的穩定性。
  • 電流穩定性:測量產品輸出電流的穩定性,用于評估產品的穩定性。
  • 輸出功率:測量產品的輸出功率,用于評估產品的性能。
  • 輸入電流:測量產品的輸入電流,用于評估產品的功耗。
  • 開關損耗:測量產品開關過程中的能量損耗。
  • 頻率響應:測量產品對不同頻率的響應能力。
  • 電源噪聲:測量產品輸出電源的噪聲水平。
  • 輸入電壓波動:測量產品輸入電壓的波動情況。
  • 輸出電壓波動:測量產品輸出電壓的波動情況。
  • 溫度變化對性能的影響:測量溫度變化對產品性能的影響。
  • 尺寸:測量產品的尺寸,用于評估產品的適用場景。
  • 重量:測量產品的重量,用于評估產品的便攜性。

檢測樣品(部分)

  • 場效應晶體管
  • 場效應管
  • 場效應放大器
  • 場效應電流源
  • 場效應開關
  • 場效應邏輯門
  • 場效應觸發器
  • 場效應二極管
  • 場效應傳感器
  • 場效應阻容連接器
  • 場效應電路
  • 場效應放大電路
  • 場效應調制器
  • 場效應模塊
  • 場效應開關電源
  • 場效應功率放大器
  • 場效應光電場板
  • 場效應發射極管
  • 場效應感應器
  • 場效應芯片

檢測儀器(部分)

  • 數字萬用表
  • 示波器
  • 信號發生器
  • 頻譜分析儀
  • 電源供應器
  • 多功能測試儀
  • 熱像儀
  • 電阻表
  • 電容表
  • 功率計

檢測方法(部分)

  • 直流電壓測量:使用數字萬用表等儀器測量產品的直流電壓。
  • 交流電壓測量:使用示波器等儀器測量產品的交流電壓。
  • 電流測量:使用電流表等儀器測量產品的電流。
  • 電阻測量:使用電阻表等儀器測量產品的電阻。
  • 頻率測量:使用頻譜分析儀等儀器測量產品的頻率。
  • 功率測量:使用功率計等儀器測量產品的功率。
  • 溫度測量:使用熱像儀等儀器測量產品的溫度。
  • 電容測量:使用電容表等儀器測量產品的電容。
  • 開關時間測量:使用示波器等儀器測量產品的開關時間。
  • 信號分析:使用示波器等儀器對產品的信號進行分析。

檢測標準(部分)

《 T/CASAS 015-2022 碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SiC MOSFET)功率循環試驗方法 》標準簡介

  • 標準名稱:碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SiC MOSFET)功率循環試驗方法
  • 標準號:T/CASAS 015-2022
    中國標準分類號:/C397
  • 發布日期:2022-07-18
    國際標準分類號:31.080.01
  • 實施日期:2022-07-18
    團體名稱:北京第三代半導體產業技術創新戰略聯盟
  • 標準分類:電子器件制造半導體器分立件綜合
  • 內容簡介:

    本文件規定了碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管(SiCMOSFET)功率循環試驗方法,包括:試驗裝置、試驗程序以及失效判據

    本文件適用于不帶反向并聯肖特基二極管的SiCMOSFET分立器件的功率循環試驗

    碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管(SiCMOSFET)具有阻斷電壓高、工作頻率高、耐高溫能力強、通態電阻低和開關損耗小等特點,廣泛應用于高頻、高壓功率系統中。隨著電力電子技術的不斷發展,越來越多的領域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等,迫切需要能夠在髙溫、高頻等極端環境下工作的電子器件。SiCMOSFET的功率循環試驗是使器件重復承受通電升溫和關斷降溫循環,以加速器件芯片與安裝表面之間所有的鍵合和界面退化。器件能否能承受規定應力條件下的功率循環次數是評估器件實際應用可靠性的重要手段。由于SiO2與SiC界面缺陷的俘獲和釋放機制,傳統的SiMOSFET的功率循環試驗方法會由于SiCMOSFET器件的閾值電壓V_GS(th)漂移導致結溫等監測參數出現偏差,從而影響功率循環試驗的準確性,本文件給出了適用于SiCMOSFET器件的功率循環試驗方法。

《 T/CASAS 016-2022 碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SiC MOSFET)結殼熱阻瞬態雙界面測試方法 》標準簡介

  • 標準名稱:碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SiC MOSFET)結殼熱阻瞬態雙界面測試方法
  • 標準號:T/CASAS 016-2022
    中國標準分類號:/C397
  • 發布日期:2022-07-18
    國際標準分類號:31.080.01
  • 實施日期:2022-07-18
    團體名稱:北京第三代半導體產業技術創新戰略聯盟
  • 標準分類:電子器件制造半導體器分立件綜合
  • 內容簡介:

    本文件規定了碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管(SiCMOSFET)結殼熱阻瞬態雙界面測試方法

    本文件僅適用于SiCMOSFET分立器件以源極和漏極之間的電壓V_sd作為測試溫敏參數的結殼熱阻測試

    碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管(SiCMOSFET)因具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場強、耐高溫性能好等優點,逐漸在雷達探測、醫療通訊、交通運輸以及新能源等領域廣泛應用。結殼熱阻作為表征熱量在導熱路徑傳輸能力的重要參數,是直接反映器件熱性能的關鍵技術指標之一,可以為器件的熱設計與優化改進提供參考。因而,準確的熱阻測試對于SiCMOSFET的鑒定、評價及其應用具有重要意義。

《 SJ/T 9014.8.2-2018 半導體器件 分立器件第8-2部分:超結金屬氧化物半導體場效應晶體管空白詳細規范 》標準簡介

  • 標準名稱:半導體器件 分立器件第8-2部分:超結金屬氧化物半導體場效應晶體管空白詳細規范
  • 標準號:SJ/T 9014.8.2-2018
    中國標準分類號:L44
  • 發布日期:2018-04-30
    國際標準分類號:31.080.30
  • 實施日期:2018-07-01
    技術歸口:工業和信息化部電子工業標準化研究院
  • 代替標準:
    主管部門:工業和信息化部
  • 標準分類:信息傳輸軟件和信息技術服務業電子學半導體分立器件電子三極管
  • 內容簡介:

    行業標準《半導體器件 分立器件第8-2部分:超結金屬氧化物半導體場效應晶體管空白詳細規范》由工業和信息化部電子工業標準化研究院歸口上報,主管部門為工業和信息化部。

《 JJG (電子) 04049-1995 國洋雙柵場效應晶體管cx測試儀試行檢定規程 》標準簡介

  • 標準名稱:國洋雙柵場效應晶體管cx測試儀試行檢定規程
  • 標準號:JJG (電子) 04049-1995
    標準狀態:現行
  • 發布日期:1995
    歸口單位
  • 實施日期:1995
    發布部門:國家市場監督管理總局
  • 代替標準:
    標準類別:計量檢定規程
  • 文件格式:紙質版或者PDF電子版(用Acrobat Reader打開)或Word版本doc格式
  • 內容簡介:

    本規程適用于國洋雙柵場效應應晶體管CX測試儀的檢定。

《 JJG (電子) 04046-1995 qc-13型場效應管跨導參數測試儀試行檢定規程 》標準簡介

  • 標準名稱:qc-13型場效應管跨導參數測試儀試行檢定規程
  • 標準號:JJG (電子) 04046-1995
    標準狀態:現行
  • 發布日期:1995
    歸口單位
  • 實施日期:1995
    發布部門:國家市場監督管理總局
  • 代替標準:
    標準類別:計量檢定規程
  • 文件格式:紙質版或者PDF電子版(用Acrobat Reader打開)或Word版本doc格式
  • 內容簡介:

    本規程適用于QC-13型場效應晶體管跨導參數測試儀的檢定。

《 JJG (電子) 04006-1987 bj2913型場效應管參數測試儀(試行) 》標準簡介

  • 標準名稱:bj2913型場效應管參數測試儀(試行)
  • 標準號:JJG (電子) 04006-1987
    標準狀態:已作廢
  • 發布日期:1988-01-05
    歸口單位
  • 實施日期:1988-01-05
    發布部門:國家市場監督管理總局
  • 代替標準:
    標準類別:計量檢定規程
  • 文件格式:紙質版或者PDF電子版(用Acrobat Reader打開)或Word版本doc格式
  • 內容簡介:

《 SL 555-2012 小型水電站現場效率試驗規程 》標準簡介

  • 標準名稱:小型水電站現場效率試驗規程
  • 標準號:SL 555-2012
    中國標準分類號:P59
  • 發布日期:2012-04-05
    國際標準分類號:
  • 實施日期:2012-07-05
    技術歸口:水利部農村水電及電氣化發展局
  • 代替標準:
    主管部門:水利部
  • 標準分類:水利
  • 內容簡介:

    行業標準《小型水電站現場效率試驗規程》由水利部農村水電及電氣化發展局歸口上報,主管部門為水利部。

《 GB/T 15450-1995 硅雙柵場效應晶體管 空白詳細規范 》標準簡介

  • 標準名稱:硅雙柵場效應晶體管 空白詳細規范
  • 標準號:GB/T 15450-1995
    中國標準分類號:L44
  • 發布日期:1995-01-05
    國際標準分類號:31.080.99
  • 實施日期:1995-08-01
    技術歸口:全國半導體器件標準化技術委員會
  • 代替標準:
    主管部門:工業和信息化部(電子)
  • 標準分類:電子學半導體分立器件其他半導體分立器件
  • 內容簡介:

    國家標準《硅雙柵場效應晶體管 空白詳細規范》由TC78(全國半導體器件標準化技術委員會)歸口上報及執行,主管部門為工業和信息化部(電子)。

《 T/CASAS 007-2020 電動汽車用碳化硅(SiC)場效應晶體管(MOSFET)模塊評測規范 》標準簡介

  • 標準名稱:電動汽車用碳化硅(SiC)場效應晶體管(MOSFET)模塊評測規范
  • 標準號:T/CASAS 007-2020
    中國標準分類號:/C3670
  • 發布日期:2020-05-25
    國際標準分類號:31.080.01
  • 實施日期:2020-05-25
    團體名稱:北京第三代半導體產業技術創新戰略聯盟
  • 標準分類:汽車零部件及配件制造半導體器分立件綜合
  • 內容簡介:

    隨著電動汽車行業的迅猛發展,對驅動系統的小型化和輕量化提出了更高的要求。基于SiC的解決方案使電動汽車驅動系統效率更高、重量更輕及結構更加緊湊,近幾年已經逐漸在電動汽車行業得到應用。然而,目前國內外尚無針對SiC功率模塊的規范和標準,缺少電動汽車行業SiCMOSFET模塊的統一指導性文件,影響了SiCMOSFET模塊在電動汽車行業的通用化。本規范針對電動汽車用的SiCMOSFET模塊,從性能參數、評測程序等方面對SiCMOSFET模塊進行了規范,可以用于電動汽車行業對SiCMOSFET模塊的初步評價。

《 T/CASAS 006-2020 碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管通用技術規范 》標準簡介

  • 標準名稱:碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管通用技術規范
  • 標準號:T/CASAS 006-2020
    中國標準分類號:/C397
  • 發布日期:2020-12-28
    國際標準分類號:29.045
  • 實施日期:2021-01-01
    團體名稱:北京第三代半導體產業技術創新戰略聯盟
  • 標準分類:電子器件制造
  • 內容簡介:

    本文件規定了碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管(以下簡稱“晶體管”)的術語、符號、基本額定值和特性、檢驗要求、測量與試驗方法本文件充分借鑒了IEC60747-8-4DiscreteSemiconductordevices-Part8-4:Metal-oxide-semiconductorfield-effect-transistorsforpowerswitchingapplications的內容,并結合了近幾年科研人員在SiCMOSFET功率器件的研發、測試評估以及應用方面的經驗總結,對SiCMOSFET的動靜態參數、可靠性考核測試方法等進行了詳細的規定,但局限于當前科研人員對SiCMOSFET器件的認知,以及該產品生產與應用所處的發展階段,可能還存在一些不足的地方,后續將根據研究進展不斷進行完善和升級。

《 SJ 20789-2000 MOS場效應晶體管熱敏參數快速篩選試驗方法 》標準簡介

  • 標準名稱:MOS場效應晶體管熱敏參數快速篩選試驗方法
  • 標準號:SJ 20789-2000
    中國標準分類號:L5961
  • 發布日期:2000-10-20
    國際標準分類號:
  • 實施日期:2000-10-20
    技術歸口:中國電子技術標準化研究所
  • 代替標準:
    主管部門:信息產業部
  • 標準分類:
  • 內容簡介:

    本規范規定了MOS場效應晶體管熱敏參數快速篩選的試驗方法。本規范適用于MOS場效應晶體管(以下簡稱電阻器)熱敏參數快速篩選。

《 SJ 2748-1987 微波低噪聲單柵場效應晶體管空白詳細規范 》標準簡介

  • 標準名稱:微波低噪聲單柵場效應晶體管空白詳細規范
  • 標準號:SJ 2748-1987
    中國標準分類號:F01
  • 發布日期:1987-02-10
    國際標準分類號:
  • 實施日期:1987-10-01
    技術歸口:
  • 代替標準:
    主管部門:電子工業部
  • 標準分類:能源技術管理核技術核技術綜合
  • 內容簡介:

    本空白詳細規范規定了制訂微波低噪聲單柵場效應品體管詳細規范的基本原則,制訂該范圍內的所有詳細規范應與本空白詳細規范一致。

《 SJ 2092-1982 CS35型N溝道結型場效應小功率半導體開關三極管 》標準簡介

  • 標準名稱:CS35型N溝道結型場效應小功率半導體開關三極管
  • 標準號:SJ 2092-1982
    中國標準分類號:F01
  • 發布日期:1982-05-15
    國際標準分類號:
  • 實施日期:1982-12-01
    技術歸口:
  • 代替標準:
    主管部門:
  • 標準分類:能源技術管理核技術核技術綜合
  • 內容簡介:

《 SJ 2093-1982 CS36型N溝道結型場效應小功率半導體開關三極管 》標準簡介

  • 標準名稱:CS36型N溝道結型場效應小功率半導體開關三極管
  • 標準號:SJ 2093-1982
    中國標準分類號:F01
  • 發布日期:1982-05-15
    國際標準分類號:
  • 實施日期:1982-12-01
    技術歸口:
  • 代替標準:
    主管部門:
  • 標準分類:能源技術管理核技術核技術綜合
  • 內容簡介:

《 SJ 2094-1982 CS37型N溝道結型場效應小功率半導體開關三極管 》標準簡介

  • 標準名稱:CS37型N溝道結型場效應小功率半導體開關三極管
  • 標準號:SJ 2094-1982
    中國標準分類號:F01
  • 發布日期:1982-05-15
    國際標準分類號:
  • 實施日期:1982-12-01
    技術歸口:
  • 代替標準:
    主管部門:
  • 標準分類:能源技術管理核技術核技術綜合
  • 內容簡介:

暫無更多檢測標準,請聯系在線工程師。

場效檢測

檢測資質(部分)

榮譽 榮譽 榮譽 榮譽 榮譽 榮譽 榮譽 榮譽 榮譽 榮譽

檢測優勢

檢測實驗室(部分)

檢測實驗室 檢測實驗室 檢測實驗室

檢測實驗室 檢測實驗室 檢測實驗室 檢測實驗室 檢測實驗室 檢測實驗室

合作客戶(部分)

客戶 客戶 客戶 客戶 客戶

檢測報告作用

1、可以幫助生產商識別產品的潛在問題或缺陷,并及時改進生產工藝,保障產品的品質和安全性。

2、可以為生產商提供科學的數據,證明其產品符合國際、國家和地區相關標準和規定,從而增強產品的市場競爭力。

3、可以評估產品的質量和安全性,確保產品能夠達到預期效果,同時減少潛在的健康和安全風險。

4、可以幫助生產商構建品牌形象,提高品牌信譽度,并促進產品的銷售和市場推廣。

5、可以確定性能和特性以及元素,例如力學性能、化學性質、物理性能、熱學性能等,從而為產品設計、制造和使用提供參考。

6、可以評估產品是否含有有毒有害成分,以及是否符合環保要求,從而保障產品的安全性。

檢測流程

1、中析研究所接受客戶委托,為客戶提供檢測服務

2、客戶可選擇寄送樣品或由我們的工程師進行采樣,以確保樣品的準確性和可靠性。

3、我們的工程師會對樣品進行初步評估,并提供報價,以便客戶了解檢測成本。

4、雙方將就檢測項目進行詳細溝通,并簽署保密協議,以保證客戶信息的保密性。在此基礎上,我們將進行測試試驗.

5、在檢測過程中,我們將與客戶進行密切溝通,以便隨時調整測試方案,確保測試進度。

6、試驗測試通常在7-15個工作日內完成,具體時間根據樣品的類型和數量而定。

7、出具檢測樣品報告,以便客戶了解測試結果和檢測數據,為客戶提供有力的支持和幫助。

以上為場效檢測的檢測內容,如需更多內容以及服務請聯系在線工程師。

 
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