晶片檢測標準

晶片檢測標準簡介

發布時間：2024-10-17 09:39:42

更新時間：2025-09-25 09:30:47

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晶片檢測標準內容

檢測標準（部分）

《 GB/T 6616-2023 半導體晶片電阻率及半導體薄膜薄層電阻的測試非接觸渦流法》標準簡介

標準名稱：半導體晶片電阻率及半導體薄膜薄層電阻的測試非接觸渦流法
標準號：GB/T 6616-2023
中國標準分類號：H21
發布日期：2023-08-06
國際標準分類號：77.040
實施日期：2024-03-01
技術歸口：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
代替標準：GB/T 6616-2009
主管部門：國家標準化管理委員會
標準分類：冶金金屬材料試驗
內容簡介：
國家標準《半導體晶片電阻率及半導體薄膜薄層電阻的測試非接觸渦流法》由TC203（全國半導體設備和材料標準化技術委員會）歸口，TC203SC2（全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分會）執行，主管部門為國家標準化管理委員會。
本文件描述了非接觸渦流法測試半導體晶片電阻率及半導體薄膜薄層電阻的方法。 本文件適用于測試直徑或邊長不小于25.0 mm、厚度為0.1 mm～1.0 mm的硅、導電型砷化鎵、導電型碳化硅單晶片的電阻率，以及襯底上制備的電阻不小于薄膜電阻1 000倍的薄膜薄層的電阻。單晶片電阻率的測試范圍為0.001 Ω·cm～200 Ω·cm，薄膜薄層電阻的測試范圍為2.0×103 Ω/□～3.0×103 Ω/□。本方法也可以擴展到其他半導體材料中，但不適用于晶片徑向電阻率變化的判定。

《 T/CASAS 032-2023 碳化硅晶片表面金屬元素含量的測定電感耦合等離子體質譜法》標準簡介

標準名稱：碳化硅晶片表面金屬元素含量的測定電感耦合等離子體質譜法
標準號：T/CASAS 032-2023
中國標準分類號：/C398
發布日期：2023-06-19
國際標準分類號：31-030
實施日期：2023-06-19
團體名稱：北京第三代半導體產業技術創新戰略聯盟
標準分類：電子元件及電子專用材料制造
內容簡介：
本文件描述了電感耦合等離子體質譜法測定碳化硅晶片表面金屬元素含量的方法。本文件適用于碳化硅單晶拋光片和碳化硅外延片表面痕量金屬鈉、鋁、鉀、鈣、鈧、鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、銀、鎢、金、汞等元素含量的測定，測定范圍為108cm-2～1012cm-2。本文件適用于100mm(4吋)～200mm(8吋)碳化硅原生晶片、碳化硅退火片等無圖形碳化硅晶片表面痕量金屬元素含量的測定。注：　碳化硅晶片表面的金屬元素含量以每平方厘米的原子數計。

《 JJF(電子)0072-2021 非接觸渦流法半導體晶片電阻率測試系統校準規范》標準簡介

標準名稱：非接觸渦流法半導體晶片電阻率測試系統校準規范
標準號：JJF(電子)0072-2021
標準狀態：現行
發布日期：2021-12-02
歸口單位
實施日期：2021-12-02
發布部門：國家市場監督管理總局
代替標準：
標準類別：計量檢定規程
文件格式：紙質版或者PDF電子版（用Acrobat Reader打開）或Word版本doc格式
內容簡介：
本本規范適用于測試范圍在 0.1Ω·CM~200.0Ω·CM(厚度 100 ΜM~1000ΜM)的非接觸渦流法半導體晶片電阻率測試系統的校準。電阻率測試系統主要是利用無接觸電渦流探頭系統,檢測由被測半導體晶片感應的渦流,輔以控制器進行信號處理完成對半導體晶片電阻率的無損測量。它主要由渦流探頭、高頻線圈和控制器等部分組成。

《 GB/T 5238-2009 鍺單晶和鍺單晶片》標準簡介

標準名稱：鍺單晶和鍺單晶片
標準號：GB/T 5238-2009
中國標準分類號：H66
發布日期：2009-10-30
國際標準分類號：77.120.99
實施日期：2010-06-01
技術歸口：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
代替標準：GB/T15713-1995,GB/T5238-1995被GB/T 5238-2019代替
主管部門：國家標準化管理委員會
標準分類：冶金有色金屬其他有色金屬及其合金
內容簡介：
國家標準《鍺單晶和鍺單晶片》由TC203（全國半導體設備和材料標準化技術委員會）歸口，主管部門為國家標準化管理委員會。

《 YS/T 986-2014 晶片正面系列字母數字標志規范》標準簡介

標準名稱：晶片正面系列字母數字標志規范
標準號：YS/T 986-2014
中國標準分類號：H80
發布日期：2014-10-14
國際標準分類號：
實施日期：2015-04-01
技術歸口：全國有色金屬標準化技術委員會
代替標準：
主管部門：工業和信息化部
標準分類：有色金屬
內容簡介：
行業標準《晶片正面系列字母數字標志規范》由全國有色金屬標準化技術委員會歸口上報，主管部門為工業和信息化部。

《 GB/T 16595-1996 晶片通用網格規范》標準簡介

標準名稱：晶片通用網格規范
標準號：GB/T 16595-1996
中國標準分類號：H82
發布日期：1996-11-04
國際標準分類號：29.045
實施日期：1997-04-01
技術歸口：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
代替標準：被GB/T 16595-2019代替
主管部門：國家標準化管理委員會
標準分類：電氣工程半導體材料
內容簡介：
國家標準《晶片通用網格規范》由TC203（全國半導體設備和材料標準化技術委員會）歸口上報及執行，主管部門為國家標準化管理委員會。

《 GB/T 16596-1996 確定晶片坐標系規范》標準簡介

標準名稱：確定晶片坐標系規范
標準號：GB/T 16596-1996
中國標準分類號：H21
發布日期：1996-11-04
國際標準分類號：29.045
實施日期：1997-04-01
技術歸口：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
代替標準：被GB/T 16596-2019代替
主管部門：國家標準化管理委員會
標準分類：電氣工程半導體材料
內容簡介：
國家標準《確定晶片坐標系規范》由TC203（全國半導體設備和材料標準化技術委員會）歸口上報及執行，主管部門為國家標準化管理委員會。

《 GB/T 15713-1995 鍺單晶片》標準簡介

標準名稱：鍺單晶片
標準號：GB/T 15713-1995
中國標準分類號：H81
發布日期：1995-10-17
國際標準分類號：
實施日期：1996-03-01
技術歸口：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
代替標準：被GB/T 5238-2009代替
主管部門：國家標準化管理委員會
標準分類：
內容簡介：
國家標準《鍺單晶片》由TC203（全國半導體設備和材料標準化技術委員會）歸口上報及執行，主管部門為國家標準化管理委員會。

《 GB/T 13840-1992 晶片承載器》標準簡介

標準名稱：晶片承載器
標準號：GB/T 13840-1992
中國標準分類號：L97
發布日期：1992-12-28
國際標準分類號：
實施日期：1993-08-01
技術歸口：工業和信息化部（電子）
代替標準：
主管部門：工業和信息化部（電子）
標準分類：
內容簡介：
國家標準《晶片承載器》由339-1（工業和信息化部（電子））歸口上報及執行，主管部門為工業和信息化部（電子）。

《 GB/T 13387-1992 電子材料晶片參考面長度測量方法》標準簡介

標準名稱：電子材料晶片參考面長度測量方法
標準號：GB/T 13387-1992
中國標準分類號：H21
發布日期：1992-02-19
國際標準分類號：
實施日期：1992-10-01
技術歸口：全國半導體設備和材料標準化技術委員會
代替標準：被GB/T 13387-2009代替
主管部門：國家標準化管理委員會
標準分類：
內容簡介：
國家標準《電子材料晶片參考面長度測量方法》由TC203（全國半導體設備和材料標準化技術委員會）歸口上報及執行，主管部門為國家標準化管理委員會。

《 T/IAWBS 016-2022 碳化硅單晶片 X 射線雙晶搖擺曲線半高寬測試方法》標準簡介

標準名稱：碳化硅單晶片 X 射線雙晶搖擺曲線半高寬測試方法
標準號：T/IAWBS 016-2022
中國標準分類號：/C398
發布日期：2022-03-17
國際標準分類號：29.045
實施日期：2022-03-24
團體名稱：中關村天合寬禁帶半導體技術創新聯盟
標準分類：電子元件及電子專用材料制造
內容簡介：
本文件規定了利用雙晶X射線衍射儀測試碳化硅單晶片搖擺曲線半高寬的方法本文件適用于物理氣相傳輸及其它方法生長制備的碳化硅單晶片本文件適用于在室溫下碳化硅單晶片的正晶向和偏角度的搖擺曲線檢測本文件根據碳化硅單晶的材料性能特點，并結合目前國內碳化硅晶體質量檢測技術的研究水平，對碳化硅單晶搖擺曲線的測量原理、測量精度保障、測量步驟等內容作出了規定。本文件的主要結構和內容如下：本文件主題章共分為9章，主要內容包括：范圍、規范性引用文件、術語和定義、測試原理、測試儀器、干擾因素，測試環境、測試樣品、測試程序、精密度、測試報告和附錄。

《 T/ZZB 0497-2018 聲表面波器件用單晶晶片》標準簡介

標準名稱：聲表面波器件用單晶晶片
標準號：T/ZZB 0497-2018
中國標準分類號：Q31/C351
發布日期：2018-08-31
國際標準分類號：91.140.70
實施日期：2018-09-30
團體名稱：浙江省品牌建設聯合會
標準分類：冶金采礦建筑專用設備制造衛生設備
內容簡介：
本標準規定了單晶晶片的術語和定義、基本要求、產品要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸和儲存、質量承諾。本標準適用于人造石英（QZ）、鈮酸鋰（LN）、鉭酸鋰（LT）、四硼酸鋰（LBO）和硅酸鎵鑭（LGS）等單晶晶片。這些單晶晶片用作聲表面波(SAW)器件的基片材料。

《 T/WLJC 59-2019 石英晶片倒邊波形筒》標準簡介

標準名稱：石英晶片倒邊波形筒
標準號：T/WLJC 59-2019
中國標準分類號：L97/C342
發布日期：2019-04-22
國際標準分類號：25.080.50
實施日期：2019-04-22
團體名稱：溫嶺市機床裝備行業協會
標準分類：磨床和拋光機金屬加工機械制造
內容簡介：
本標準規定了石英晶片倒邊波形筒的型式規格、技術要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸和貯存本標準適用于石英晶片倒邊波形筒標準名稱中的“石英晶片”是指壓電石英晶體毛坯片。“倒邊波形筒”是倒邊滾筒的一種結構型式，其他類型有“倒邊球”、“倒邊直筒”等。標準給出了波形筒的基本結構型式，常用的2個系列共14種規格的內徑和內壁波形R尺寸。標準規定了倒邊波形筒的材料、尺寸公差、表面質量、裝配互換性等基本技術要求。

《 T/WLJC 58-2019 晶片精密研磨盤用修正輪》標準簡介

標準名稱：晶片精密研磨盤用修正輪
標準號：T/WLJC 58-2019
中國標準分類號：L97/C342
發布日期：2019-04-22
國際標準分類號：25.080.50
實施日期：2019-04-22
團體名稱：溫嶺市機床裝備行業協會
標準分類：磨床和拋光機金屬加工機械制造
內容簡介：
本標準規定了晶片精密研磨盤用修正輪的型式規格、技術要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸和貯存本標準適用于晶片精密研磨盤用修正輪標準名稱中的“研磨盤”是指晶片雙面研磨機的上、下研磨盤。修正輪的材質為灰鑄鐵或球墨鑄鐵，用于鑄鐵研磨盤的修整。外形為齒輪狀，厚度25-40毫米，正反面開有刮研槽。標準給出了修正輪常用的6種結構型式，以及6種規格的外徑和厚度尺寸、外圈的齒數和模數。標準中對修正輪三項關鍵指標規定的尺寸公差，代表了國內一流、國際先進技術水平。1）修正輪整個工作面的平面度，本標準規定應≤0.02mm；2）修正輪正反兩面的平行度，本標準規定應≤0.005mm；3）修正輪4個或6個為一組，組內各修正輪之間的厚度誤差，本標準規定應≤0.02mm。

《 T/WLJC 57-2019 晶片精密研磨盤》標準簡介

標準名稱：晶片精密研磨盤
標準號：T/WLJC 57-2019
中國標準分類號：L97/C342
發布日期：2019-04-22
國際標準分類號：25.080.50
實施日期：2019-04-22
團體名稱：溫嶺市機床裝備行業協會
標準分類：磨床和拋光機金屬加工機械制造
內容簡介：
本標準規定了晶片精密研磨盤的規格型號、技術要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸和貯存本標準適用于研磨晶片的精密研磨盤標準名稱中的“晶片”包括：——半導體材料晶片，如：硅單晶Si，鍺單晶Ge等；——復合半導體材料晶片，如：GaAs，GaN，InP等；——光電材料晶片，如：LiNbO3，BBO等；——超硬材料晶片，如藍寶石Sapphire，碳化硅SiC等。標準名稱中的“精密研磨盤”區別于“粗研磨盤”。標準給出了晶片研磨盤的12個規格型號，包括了國內晶片研磨盤的主要規格型號。精密研磨盤的關鍵技術指標是平面度和平行度，標準中對各規格的研磨盤分別給出了平面度和平行度要求，規定的指標代表了國內一流、國際先進水平。