國家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體器件 第5-6部分：光電子器件 發(fā)光二極管》由339-1（工業(yè)和信息化部（電子））歸口，主管部門為工業(yè)和信息化部（電子）。

本文件規(guī)定了一般工業(yè)應(yīng)用的發(fā)光二極管（LED）的術(shù)語、基本額定值和特性、測試方法和質(zhì)量評定，涉及信號器、控制器、傳感器等。本文件不包括照明用LED。LED分為以下五種類型：a)〓LED器件；b)〓LED平面發(fā)光器件；c)〓LED數(shù)字顯示和字母數(shù)字顯示；d)〓顯示用點陣LED；e)〓紅外發(fā)射二極管（IR LED）；f)〓紫外發(fā)射二極管（UV LED）。本文件包括帶有散熱器或具有同等散熱器功能的LED。

國家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體器件 第16-5部分：微波集成電路 振蕩器》由TC78（全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會）歸口，TC78SC2（全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會半導(dǎo)體集成電路分會）執(zhí)行，主管部門為工業(yè)和信息化部（電子）。

本文件規(guī)定了微波集成電路振蕩器的術(shù)語、基本額定值、特性以及測試方法。本文件適用于固定頻率振蕩器和微波壓控振蕩器，需要外部控制器的振蕩器模塊(如合成器)除外。注： 本文件不適用于IEC 606791規(guī)定的石英晶體振蕩器。

國家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體器件 分立器件 第7部分：雙極型晶體管》由TC78（全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會）歸口，TC78SC1（全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會半導(dǎo)體分立器件分會）執(zhí)行，主管部門為工業(yè)和信息化部（電子）。

本文件給出了下列幾種類型雙極型晶體管(微波晶體管除外)的有關(guān)要求：--小信號晶體管（開關(guān)和微波用除外）；--線性功率晶體管（開關(guān)、高頻和微波用除外）；--放大和振蕩用高頻功率晶體管；--高速開關(guān)和電源開關(guān)用開關(guān)晶體管；--電阻偏置晶體管。

國家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗方法 第26部分：靜電放電（ESD）敏感度測試 人體模型（HBM）》由TC78（全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會）歸口，主管部門為工業(yè)和信息化部（電子）。

本文件依據(jù)元器件和微電路對規(guī)定的人體模型（HBM）靜電放電（ESD）所造成損傷或退化的敏感度，建立了元器件和微電路的ESD測試、評價和分級程序。本文件的目的是建立一種能夠復(fù)現(xiàn)HBM失效的測試方法，并為不同類型的元器件提供可靠、可重復(fù)的HBM ESD測試結(jié)果，且測試結(jié)果不因測試設(shè)備而改變。重復(fù)性數(shù)據(jù)可以保證HBM ESD敏感度等級的準(zhǔn)確劃分及對比。半導(dǎo)體器件的ESD測試從本測試方法、機(jī)器模型（MM）測試方法（見IEC 6074927）或IEC 60749（所有部分）中的其他ESD測試方法中選擇。除另有規(guī)定外，本測試方法為所選方法。

國家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體器件 第16-10部分：單片微波集成電路技術(shù)可接收程序》由TC78（全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會）歸口，TC78SC2（全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會半導(dǎo)體集成電路分會）執(zhí)行，主管部門為工業(yè)和信息化部（電子）。

本文件規(guī)定了關(guān)于單片微波集成電路的設(shè)計、制造和交付的術(shù)語、定義、符號、質(zhì)量體系、測試、評價、驗證方法以及其他要求。

國家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體器件 第16-2部分：微波集成電路 預(yù)分頻器》由TC78（全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會）歸口，TC78SC2（全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會半導(dǎo)體集成電路分會）執(zhí)行，主管部門為工業(yè)和信息化部（電子）。

本文件規(guī)定了微波集成電路預(yù)分頻器的術(shù)語、字母符號、基本額定值、特性以及測試方法。

國家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體器件 集成電路 第20部分：膜集成電路和混合膜集成電路總規(guī)范 第一篇：內(nèi)部目檢要求》由TC78（全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會）歸口，TC78SC2（全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會半導(dǎo)體集成電路分會）執(zhí)行，主管部門為工業(yè)和信息化部（電子）。

本文件的目的是檢查膜集成電路和混合膜集成電路（FICs和HFICs，以下簡稱器件）內(nèi)部的材料、結(jié)構(gòu)和制造工藝。通常在封帽或包封前進(jìn)行該項檢驗，從而找出并剔除帶有內(nèi)部缺陷的器件。這種缺陷會導(dǎo)致器件在正常應(yīng)用中失效。其他的驗收準(zhǔn)則應(yīng)與購買商或供應(yīng)商商定。

國家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體器件 微電子機(jī)械器件 第19部分：電子羅盤》由339-1（工業(yè)和信息化部（電子））歸口，主管部門為工業(yè)和信息化部（電子）。

本文件界定了電子羅盤的術(shù)語和定義，規(guī)定了基本額定值和特性，描述了相應(yīng)測試方法。本文件適用于由磁傳感器和加速度傳感器組成的電子羅盤，或單獨由磁傳感器組成的電子羅盤。本文件適用于移動電子設(shè)備用電子羅盤。 對于海洋電子羅盤的相關(guān)要求見ISO 11606。 本文件適用的電子羅盤種類包括兩軸電子羅盤、三軸電子羅盤和六軸電子羅盤等。

國家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗方法 第31部分：塑封器件的易燃性（內(nèi)部引起的）》由TC78（全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會）歸口，主管部門為工業(yè)和信息化部（電子）。

國家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗方法 第32部分：塑封器件的易燃性（外部引起的）》由TC78（全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會）歸口，主管部門為工業(yè)和信息化部（電子）。

國家標(biāo)準(zhǔn)《電子元器件 半導(dǎo)體器件長期貯存 第5部分：芯片和晶圓》由TC78（全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會）歸口，TC78SC2（全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會半導(dǎo)體集成電路分會）執(zhí)行，主管部門為工業(yè)和信息化部（電子）。

國家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗方法 第27部分：靜電放電（ESD）敏感度測試 機(jī)器模型（MM）》由TC78（全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會）歸口，主管部門為工業(yè)和信息化部（電子）。

國家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化 第6-4部分：表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形圖繪制的一般規(guī)則 焊球陣列（BGA）封裝的尺寸測量方法》由TC78（全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會）歸口，TC78SC2（全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會半導(dǎo)體集成電路分會）執(zhí)行，主管部門為工業(yè)和信息化部（電子）。

國家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體器件 微電子機(jī)械器件 第5部分：射頻MEMS開關(guān)》由339-1（工業(yè)和信息化部（電子））歸口，主管部門為工業(yè)和信息化部（電子）。

本文件界定了用于評估和確定射頻MEMS開關(guān)的基本額定值和特性的術(shù)語、定義和符號，描述了參數(shù)測試方法。本文件適用于各種類型的射頻MEMS開關(guān)，射頻MEMS開關(guān)的一般說明見附錄A。按接觸方式分類，包括直流觸點型開關(guān)和電容觸點型開關(guān)；按結(jié)構(gòu)分類，包括串聯(lián)開關(guān)和并聯(lián)開關(guān)，射頻MEMS開關(guān)的幾何結(jié)構(gòu)說明見附錄B；按開關(guān)網(wǎng)絡(luò)分類，包括單刀單擲開關(guān)、單刀雙擲開關(guān)和雙刀雙擲開關(guān)等；按驅(qū)動方式分類，包括靜電驅(qū)動開關(guān)、熱電驅(qū)動開關(guān)、電磁驅(qū)動開關(guān)和壓電驅(qū)動開關(guān)等。射頻MEMS開關(guān)在多頻帶或多模式移動電話、智能雷達(dá)系統(tǒng)、可重構(gòu)射頻器件和系統(tǒng)、SDR（軟件無線電）電話、測試設(shè)備、可調(diào)諧器件和系統(tǒng)、衛(wèi)星等方面應(yīng)用廣泛，射頻MEMS開關(guān)的應(yīng)用說明見附錄E。

國家標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗方法 第23部分：高溫工作壽命》由TC78（全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會）歸口，主管部門為工業(yè)和信息化部（電子）。

本文件描述了隨時間的推移，偏置條件和溫度對固態(tài)器件影響的試驗方法。該試驗以加速壽命模式模擬器件工作，主要用于器件的鑒定和可靠性檢驗。短期的高溫偏置壽命通常稱之為老煉，可用于篩選試驗中剔除早期失效產(chǎn)品。本文件未規(guī)定老煉的詳細(xì)要求和應(yīng)用。